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芯片解封也稱開封、開蓋和開帽，開封過程中主要是去除互連結(jié)構(gòu)中的下填料（主要成份為環(huán)氧樹脂），使引線鍵合或芯片本身完整裸露出來。
微熱絲化學氣相沉積(HOT FILAMENT CHEMICAL，VAPOR DEPOSITION，HFCVD)技術(shù)是金剛石薄膜沉積的常用技術(shù)之一，具有設(shè)備簡單、操作便利、成本較低、適用于大面積、復(fù)雜形狀刀具金剛石涂層沉積等優(yōu)點。
標準漏孔有兩種形式：一種，漏孔一端真空另一端為一個大氣壓的示漏氣體，稱做真空標準漏孔；另一種，漏孔一端 氣另一端加高于一個大氣壓的示漏氣體，常稱做正壓標準漏孔。
本真空標準裝置主要用于( 1.3×105 ～ 1.3×10-1 ) Pa范圍內(nèi)電容薄膜真空計，熱偶真空計等的檢定/校準工作，主要具有以下特點： 1.1兼顧比較法和膨脹法兩種裝置，便于客戶靈活靈活掌握和保證設(shè)備可以長期使用； 1.2膨脹法裝置部分選取所有儀器和設(shè)備均可以提供長期質(zhì)保。比較法用標準器電容薄膜規(guī)有原廠提供質(zhì)保。 1.3采用專用軟件進行數(shù)據(jù)采集及處理，工作效率高； 1.4系統(tǒng)軟件終身免費升級，裝置總體水平達到國內(nèi)先進水平。
本資料針對DBLS10-5氦氣漏孔校準裝置的組成、操作以及維護。本裝置適用于計量測試單位開展標準漏孔校準，量值溯源。本系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，易于操作、維護，效率高。
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